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第四百二十四章 制裁 百分百汽车关税（第1页）

深城，海湾科技的三号楼，也是EUV项目办公楼里的一楼实验室里。

徐申学带着几个集团高管在海湾科技的众人陪同下，参观了这台EUV光刻机原型机。

EUV光刻机这东西，光看外表也看不出来什么，就是一个大柜子……光看这个大柜子，普通人很难想象这东西的价格得至少一点五亿美元甚至更贵。

此时海湾科技的CEO王道林，则是一脸兴奋的向徐申学介绍着这台原型机的基本情况：“我们的这台原型机在研发的时候，已经历经了多次的试验机型的研发，以逐步提升技术水准！”

“如在关键技术参数，也就是数值孔径上，我们一开始只能做到0.25，而而这一水平的数值孔径下，哪怕是我们采用了波长更短极紫外光，但是最后做出来的分辨率依旧不行，第一代试验机的分辨率只有三十五纳米！”

“后续我们继续研发，通过多系统的整合，先进材料的进一步应用，把数值孔径提升到了0.33，也就是国外ASML旗下产品的同等水准。”

“同时我们在其他子系统，尤其是光源系统以及镜片系统上也获得了巨大的技术进步，等到第二代试验机的时候，我们已经把分辨率提升到了二十纳米！”

“理论上来说，这个分辨率已经很不错，已经可以用来生产现在的这些十纳米等效工艺，十二纳米等效工艺，甚至等效七纳米的芯片了！”

“但是性价比太低了，现在的EUV光刻机研发成本投入巨大，同时制造的硬件成本也会非常大，最后售价可能是现有的DUV浸润式光刻机的两倍以上，但是EUV光刻机的生产效率目前还无法提升，只维持在每小时一百片的水准，这意味着从商业价值上来说，第二代试验机依旧没有实际价值，同时当时的套刻精度也只有二点五纳米。”

“而我们目前量产的最先进的HDUV-600B型光刻机，分辨率达到38纳米，套刻精度2.5纳米，已经可以很充分的满足10-14纳米工艺的芯片生产需求，性价比更高！”

“综合来看，第二代试验机因为性价比问题，并不具备商业化潜力，所以我们在第二代试验机的基础上继续进行改进！”

“从去年开始，我们开始第三代试验机的深度改进研发，主要是进一步提升分辨率以及套刻精度，此外也进一步提升机台的工作效率以及稳定性，为商业化生产做准备。”

“通过大量的技术研发，在仙女山旗下众多合作企业的配合下，我们先后对光源系统，曝光系统，机台系统等进行了大幅度的技术升级！”

“最终，我们做出来了这台第三代的试验机，同时也是量产型号的原型机：HEUV-300A型！”

“经过大量的技术升级，目前我们的这台HEUV-300A，分辨率已经达到了十三纳米，数值孔径为0.33，最重要的是套刻精度提升到了2纳米。”

“其中套刻精度的提升是一个巨大的技术进步，这意味着我们可以使用这台光刻机低成本的生产等效7纳米工艺的芯片，甚至生产等效五纳米工艺的芯片！”

徐申学搞了这么多年的半导体，多少对半导体设备以及工艺之间的关系能搞清楚了。

光是一听这个十四纳米工艺的分辨率，他就知道这台EUV光刻机的巨大价值了。

芯片工艺能做到做好，是和光刻机的分辨率以及套刻精度息息相关的。

芯片工艺的好坏，芯片工厂一般用等效工艺来进行宣传，智云的十八纳米、十四纳米、十二纳米、十纳米都是属于等效工艺，台积电那边的二十纳米、十六纳米、十纳米工艺也是属于等效工艺……并不是说芯片的金属间隔真达到了这个程度。

芯片行业内一般使用多个关键数据来判断芯片工艺的好坏，而其中和光刻机关系最大的就是半金属间距了。

如智云半导体的十四纳米工艺，其半金属间距是四十三纳米；而今年刚推向市场的等效十纳米工艺，其半金属间距是三十二纳米。

正在研发当中，预计明年投产的等效七纳米工艺，半金属间距是二十七。

隔壁的台积电以及四星，在各工艺节点上也差不多这个水准，有一些偏差，但是不会大。

而到了二十七纳米这个半金属间距，也就是等效七纳米工艺这个工艺节点后，DUV浸润式光刻机受限于分辨率的限制已经到了物理理论极限了，很难再往下继续搞了，比如等效五纳米工艺就很难搞……当然，也不是说不行，如果套刻精度能够做到两纳米的程度，也能勉强高，但是成本会上天……

智云半导体以及对面的台积电，其实都在尝试用DUV浸润式光刻机搞等效五纳米工艺的芯片……嗯，就是尝试把芯片的半金属间距做到大概二十五纳米的水准。

别看只是两纳米的半金属工艺的提升，但是依旧是一道难以夸张的天堑，难得很。

所以别看都在搞，但实际上都对这一技术路线望而止步……用DUV浸润式光刻机搞等效五纳米的芯片，这个太扯淡了，从商业角度来看完全不值得。

所以这两家芯片先进工艺的竞争对手，在使用DUV浸润式光刻机制造等效五纳米工艺这一技术路线上，都是雷声大，雨点小……都在指望EUV光刻机呢。

至于四星和英特尔，他们就更惨了，他们连十纳米工艺，嗯，也就是大概三十三半金属工艺节点都还没有搞出来呢。

等效七纳米，遥遥无期……

其中的英特尔是受限于各种情况，技术推进非常不顺利，只能在十四纳米工艺上修修改改。

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